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北京大學深圳研究生院（以下簡稱：北大深研院）成立于2001年，由北京大學和深圳市人民政府共同創(chuàng)辦。作為北京大學唯一異地校區(qū)，北大深研院融合北大“思想自由、兼容并包”學術(shù)精神與深圳“敢闖敢試”的進取精神，承載先行軍與試驗田使命，與中國乃至世界的知識增進與研究創(chuàng)新相融合，是北京大學邁向世界一流大學前列的重要戰(zhàn)略組成。

北大深研院始終堅守“前沿領(lǐng)域、交叉學科、應用學術(shù)、國際標準”的辦學方針，旨在建成培養(yǎng)國際化、復合型、創(chuàng)新型人才新高地。在“雙區(qū)”戰(zhàn)略的新時代背景下，北大深研院將扎根灣區(qū)，打造“新工科”建設(shè)新引擎，助力國家解決關(guān)鍵核心技術(shù)“卡脖子”攻艱難題，探索前沿領(lǐng)域與區(qū)域產(chǎn)業(yè)聯(lián)動發(fā)展新范式。

一、基本信息

1.招聘單位：電子信息研究團隊

2.招聘崗位：氮化鎵器件工藝工程師/科研助理

3.崗位類別：技術(shù)人員

4.招聘人數(shù)：1人

5.招聘范圍：校內(nèi)外招聘

二、崗位職責

主要負責氮化鎵（GaN）電子器件的流片工藝及測試工作：

1.工藝制備：負責微納加工超凈間內(nèi)的關(guān)鍵工藝操作（包括但不限于：光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發(fā)/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等）；

2.工藝維護：負責器件制備流程的優(yōu)化，解決流片過程中出現(xiàn)的技術(shù)問題，提高器件良率；

3.測試表征：負責半導體器件的電學性能測試（IV、CV、擊穿電壓等）及結(jié)構(gòu)表征（SEM、臺階儀、顯微鏡等）；

4.數(shù)據(jù)管理：負責實驗數(shù)據(jù)的記錄、整理與歸納，定期匯報實驗進度；

5.設(shè)備協(xié)作：完成團隊交辦的其他科研輔助工作。

三、應聘條件

1.具有全日制本科及以上學歷，微電子、半導體物理、光電信息、材料科學等相關(guān)專業(yè)；

2.有超凈間（Cleanroom）工作經(jīng)驗者優(yōu)先；

3.熟悉半導體微納加工工藝（黃光、刻蝕、鍍膜等）者優(yōu)先；

4.有氮化鎵（GaN）HEMT或其他功率/射頻器件制備經(jīng)驗者極佳；

5.動手能力強，工作細致耐心（工藝細節(jié)決定成?。哂辛己玫膱F隊合作精神和溝通能力

四、工作地點：東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)

五、招聘程序

1.請應聘者將個人簡歷（包括個人概況、學習工作履歷）以及能夠證明個人能力的相關(guān)應聘材料發(fā)送至pkucom@outlook.com郵箱。郵件主題為：應聘xx崗位+畢業(yè)院校+專業(yè)+姓名+計劃到崗時間+高校人才網(wǎng)。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】

2.招聘截至招到合適人選為止。

3.材料初審通過后，將通知安排面試。未通過初選者恕不另行通知。

4.應聘材料恕不退還，期間不接待來電來訪。

我們期待您的加入，共同開啟新的征程！