蘇州
依托中國科學院納米所組建的半導體顯示材料與芯片重點實驗室2024年獲批成立，聚焦半導體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎科學問題，開展關鍵材料、核心器件與集成芯片的創新研究，突破高質量材料生長與高性能芯片制備的關鍵技術，集聚一支由戰略科學家、青年學術帶頭人等組成的科技創新隊伍，目標產出一批原創性科技成果，推動科技成果的轉移轉化，著力建設成半導體顯示材料與芯片領域創新高地。
一、重點實驗室的主要研究方向
1.高質量半導體光電材料
（GaN等III族氮化物半導體材料、GaAs等III-V族化合物半導體材料外延生長與測試表征）
2.高能效紅綠藍微納光電器件
（GaN基、GaAs基化合物半導體光電器件制備，以及器件結溫與熱阻測試表征和散熱研究）
3.半導體顯示多維度調制器件
?。〝底治㈢R器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場調控、微納光柵、光波導、驅動調制器件）
4.高性能半導體顯示集成芯片
?。す怙@示、Micro-LED大屏顯示及XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅動芯片及其集成微系統）
二、招聘研究崗位
招聘崗位的研究方向：
III族氮化物半導體外延材料生長及表征
Micro-LED器件制備
半導體（邊發射、面發射）激光器制備
半導體光電器件的熱管理
半導體激光器可靠性及失效分析
超表面與微納光柵
AR光波導
微納光學仿真
半導體顯示驅動與集成技術
AI與半導體顯示融合
崗位1：副高及以上人才8-10人
根據研究所高層次人才招聘啟事，招聘電子信息領域的高層次研究人員，具體各級人才政策詳見研究所高層次人才招聘啟事（請點擊鏈接查看）。
1．崗位要求：
1)理學或工學博士畢業，具有電子信息、物理、光學、材料等相關專業背景；
2)在國內外著名高校、研究機構有2年及以上的工作經歷，有主持科研項目經驗者優先；
3)負責圍繞重點實驗室主攻方向開展有組織的基礎研究，組織推進科研項目實施，并做出重要成果；
4)具有獨立承擔科研工作的能力，具有較好的英文閱讀、寫作能力，在本領域知名國際刊物上發表過學術論文；
5)具有較好的學習能力和團隊合作精神，具有較強的溝通協調和組織能力。
崗位2：博士后（特別研究助理）人才10-15名
1．崗位要求：
1)申請人獲得博士學位3年以內，具有電子信息、物理、光學、材料等相關專業背景，年齡一般不超過35周歲；
2)能夠圍繞重點實驗室主攻方向開展有組織的基礎研究，能夠獨立從事相關科研實驗；
3)具有良好的英文閱讀、寫作能力；
4)具有良好的學術道德，嚴謹的科研作風和科學、求實、團結、協作的精神。
2．固定薪酬：
博士后在站期間，固定薪酬28萬起，特別優秀者固定薪酬58萬起，另加獎勵績效。
3．可爭取的個人補貼：
1)入選省卓越博士后計劃，可獲得50萬元/30萬元/20萬元人才津貼。
2)入選博新計劃，可獲得32萬元生活補貼。
3)入選中國科學院特別研究助理資助項目或研究所優秀博士后計劃，可獲得12萬元人才津貼。
4)獲得中國博士后科學基金面上資助和特別資助（項目經費8-18萬元），分別給予2萬元、5萬元補貼。
4．待遇福利：
在站期間可參加副高級崗位晉升，通過評審可聘為副高級崗位（入編）；可申請各類科研項目；可獲得公派出國深造的機會；同時享有人才優購（公積金貸款2-3倍）、協助子女入學等待遇；出站留蘇30萬元安家補貼。
三、招聘支撐崗位
崗位1：化合物半導體材料外延生長與測試表征工程師1-2名
崗位2：Micro-LED光電測試表征工程師1-2名
崗位3：半導體激光器結溫與熱阻測試表征工程師1-2名
崗位4：半導體激光器壽命測試與失效分析工程師1-2名
1．崗位要求：
1)具有碩士學歷，或者具有本科學歷及4年以上半導體相關領域的工作經歷；年齡一般不超過35周歲；
2)具有半導體相關領域的研究或技術經驗，和相應崗位所需的技術能力；
3)具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展工作的能力；
4)具有扎實的專業基礎知識和實驗技能，良好的英語讀寫能力；
5)動手能力強，認真細心，踏實肯干，善于溝通。
2．薪酬待遇：
1)薪資：中國科學院蘇州納米所為國家級單位，根據崗位職級提供有競爭力的薪酬待遇（工資+績效獎勵）。
2)福利：享受五險一金（含公積金）、午餐補貼、工會福利、職工體檢等。
四、應聘方式
請應聘者將個人簡歷及相關證明材料通過郵件，以重點實驗室+崗位+姓名為主題發送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者參加線上面試和現場面試。聯系人：任老師，聯系電話：0512-62872758。
【本招聘信息長期有效】。
