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復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授團(tuán)隊(duì)依托集成電路科學(xué)與工程一級學(xué)科博士后流動站，擁有的科研平臺、深厚的學(xué)科積淀及完善的人才培養(yǎng)體系，聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。為推動相關(guān)領(lǐng)域科研工作深入開展，現(xiàn)面向國內(nèi)外公開招聘半導(dǎo)體真空機(jī)械裝備、大面積金剛石散熱、先進(jìn)三維封裝方向博士后2-3名，誠邀海內(nèi)外青年學(xué)者加入，攜手開展高水平科研創(chuàng)新。

一、招聘方向及研究內(nèi)容

1. 半導(dǎo)體真空機(jī)械裝備

核心圍繞半導(dǎo)體真空機(jī)械裝備的研發(fā)與優(yōu)化，重點(diǎn)開展真空CVD和ALD系統(tǒng)設(shè)計(jì)、精密機(jī)械結(jié)構(gòu)研發(fā)、真空密封與測控技術(shù)研究，探索裝備與半導(dǎo)體工藝的適配性優(yōu)化，解決裝備小型化、高精度、高穩(wěn)定性等關(guān)鍵技術(shù)難題，支撐半導(dǎo)體制造工藝的高效落地，助力半導(dǎo)體裝備自主可控發(fā)展。

2. 大面積金剛石散熱技術(shù)

聚焦大面積、高質(zhì)量金剛石薄膜的制備與散熱應(yīng)用，重點(diǎn)研究化學(xué)氣相沉積(MPCVD/HFCVD)等制備工藝優(yōu)化，探索金剛石與半導(dǎo)體器件的異質(zhì)集成技術(shù)，開展金剛石散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、熱阻調(diào)控及散熱性能測試，破解高熱流密度半導(dǎo)體器件的散熱瓶頸，推動金剛石散熱技術(shù)在功率器件、高端芯片中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

3. 先進(jìn)三維封裝技術(shù)

圍繞先進(jìn)三維集成與封裝技術(shù)，重點(diǎn)開展2.5D/3D芯粒集成(Chiplet)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、鍵合工藝優(yōu)化、界面調(diào)控及可靠性測試等研究，探索封裝熱管理與信號完整性優(yōu)化方案，推動先進(jìn)三維封裝技術(shù)與CMOS工藝的兼容集成，支撐高密度、高性能集成電路的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

二、招聘條件

1. 已獲得或即將獲得博士學(xué)位，年齡不超過35周歲，身心健康，能吃苦，確實(shí)想學(xué)習(xí)真本領(lǐng)，能全職投入博士后研究工作;

2. 具有與招聘方向相關(guān)的專業(yè)背景(機(jī)械工程、化學(xué)工程、過程控制、能源動力、材料科學(xué)與工程、微電子學(xué)等)，具備扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識和相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn);

3. 具備較強(qiáng)的科研創(chuàng)新能力和獨(dú)立開展科研工作的能力，熱愛半導(dǎo)體，愿意到半導(dǎo)體、集成電路這個(gè)高收益和高成長賽道進(jìn)行跨學(xué)科發(fā)展;

4. 掌握相關(guān)研究方向的核心實(shí)驗(yàn)技術(shù)或理論計(jì)算方法，熟悉各類表征、測試設(shè)備者及AI應(yīng)用工具者優(yōu)先;

5. 具有良好的科研誠信、團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和溝通能力，動手能力強(qiáng)，熱愛科研事業(yè)，具備嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度。

三、崗位待遇

1. 薪酬待遇：提供具有競爭力的薪酬，基礎(chǔ)年薪不低于18萬元，可申請復(fù)旦大學(xué)“博士后”(年薪23-50萬元)、上海市“博士后”(年薪30萬元以上)、國家博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃(年薪48萬元以上)等資助，疊加后待遇優(yōu)厚;

2. 科研：提供充足的科研經(jīng)費(fèi)和的實(shí)驗(yàn)平臺，支持參與、省部級科研項(xiàng)目，協(xié)助申請國家自然科學(xué)基金等各類科研項(xiàng)目;

3. 福利：按復(fù)旦大學(xué)規(guī)定繳納五險(xiǎn)一金，提供博士后公寓(或住房補(bǔ)貼)，協(xié)助辦理上海市戶口、子女入托入學(xué)等事宜，享受學(xué)校教職工同等福利;

4. 發(fā)展機(jī)會：表現(xiàn)者可優(yōu)先推薦申報(bào)學(xué)校教研序列崗位，提供學(xué)術(shù)交流、出國訪問等機(jī)會，助力個(gè)人科研能力與職業(yè)發(fā)展。

四、申請材料

1. 個(gè)人簡歷(含教育經(jīng)歷、工作經(jīng)歷、研究成果、論文清單、獲獎情況等);

2. 博士學(xué)位證書(即將畢業(yè)者提供博士論文答辯決議書或相關(guān)證明);

3. 代表性研究成果(論文全文、專利、科研項(xiàng)目參與證明等);

4. 研究計(jì)劃(簡要闡述未來博士后期間的研究思路與預(yù)期成果，1000字左右);

5. 2名同行專家推薦信(需注明推薦人聯(lián)系方式)。

五、應(yīng)聘地址和方式

1. 請將上述申請材料整合為一個(gè)PDF文件，郵件主題注明“博士后應(yīng)聘+招聘方向+姓名+畢業(yè)院校”，發(fā)送至招聘郵箱;

2. 地址：上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院

3. 團(tuán)隊(duì)網(wǎng)址：www.fudansensor.com

4. 招聘郵箱： honglianglu@fudan.edu.cn ;

5. 截止日期：長期有效，招滿即止。

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復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授團(tuán)隊(duì)招聘博士后崗位表

（責(zé)任編輯：小今）