依托中國科學(xué)院納米所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室2024年獲批成立，聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問題，開展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究，突破高質(zhì)量材料生長與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)，集聚一支由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊伍，目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果，推動科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。

　　一、重點實驗室的主要研究方向

　　1.高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料

　　（GaN等III族氮化物半導(dǎo)體材料、GaAs等III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長與測試表征）

　　2.高能效紅綠藍(lán)微納光電器件

　　（GaN基、GaAs基化合物半導(dǎo)體光電器件制備，以及器件結(jié)溫與熱阻測試表征和散熱研究）

　　3.半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件

　　（數(shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動調(diào)制器件）

　　4.高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片

　　（激光顯示、Micro-LED大屏顯示及XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動芯片及其集成微系統(tǒng)）

　　二、招聘研究崗位

　　招聘崗位的研究方向：

　　III族氮化物半導(dǎo)體外延材料生長及表征

　　Micro-LED器件制備

　　半導(dǎo)體（邊發(fā)射、面發(fā)射）激光器制備

　　半導(dǎo)體光電器件的熱管理

　　半導(dǎo)體激光器可靠性及失效分析

　　超表面與微納光柵

　　AR光波導(dǎo)

　　微納光學(xué)仿真

　　半導(dǎo)體顯示驅(qū)動與集成技術(shù)

　　AI與半導(dǎo)體顯示融合

　　崗位1：副高及以上人才8-10人

　　根據(jù)研究所高層次人才招聘啟事，招聘電子信息領(lǐng)域的高層次研究人員，具體各級人才政策詳見研究所高層次人才招聘啟事（請點擊鏈接查看）。

　　1．崗位要求：

　　1)理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景；

　　2)在國內(nèi)外著名高校、研究機構(gòu)有2年及以上的工作經(jīng)歷，有主持科研項目經(jīng)驗者優(yōu)先；

　　3)負(fù)責(zé)圍繞重點實驗室主攻方向開展有組織的基礎(chǔ)研究，組織推進科研項目實施，并做出重要成果；

　　4)具有獨立承擔(dān)科研工作的能力，具有較好的英文閱讀、寫作能力，在本領(lǐng)域知名國際刊物上發(fā)表過學(xué)術(shù)論文；

　　5)具有較好的學(xué)習(xí)能力和團隊合作精神，具有較強的溝通協(xié)調(diào)和組織能力。

　　崗位2：博士后（特別研究助理）人才10-15名

　　1．崗位要求：

　　1)申請人獲得博士學(xué)位3年以內(nèi)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景，年齡一般不超過35周歲；

　　2)能夠圍繞重點實驗室主攻方向開展有組織的基礎(chǔ)研究，能夠獨立從事相關(guān)科研實驗；

　　3)具有良好的英文閱讀、寫作能力；

　　4)具有良好的學(xué)術(shù)道德，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲凶黠L(fēng)和科學(xué)、求實、團結(jié)、協(xié)作的精神。

　　2．固定薪酬：

　　博士后在站期間，固定薪酬28萬起，特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬起，另加獎勵績效。

　　3．可爭取的個人補貼：

　　1)入選省卓越博士后計劃，可獲得50萬元/30萬元/20萬元人才津貼。

　　2)入選博新計劃，可獲得32萬元生活補貼。

　　3)入選中國科學(xué)院特別研究助理資助項目或研究所優(yōu)秀博士后計劃，可獲得12萬元人才津貼。

　　4)獲得中國博士后科學(xué)基金面上資助和特別資助（項目經(jīng)費8-18萬元），分別給予2萬元、5萬元補貼。

　　4．待遇福利：

　　在站期間可參加副高級崗位晉升，通過評審可聘為副高級崗位（入編）；可申請各類科研項目；可獲得公派出國深造的機會；同時享有人才優(yōu)購（公積金貸款2-3倍）、協(xié)助子女入學(xué)等待遇；出站留蘇30萬元安家補貼。

　　三、招聘支撐崗位

　　崗位1：化合物半導(dǎo)體材料外延生長與測試表征工程師1-2名

　　崗位2：Micro-LED光電測試表征工程師1-2名

　　崗位3：半導(dǎo)體激光器結(jié)溫與熱阻測試表征工程師1-2名

　　崗位4：半導(dǎo)體激光器壽命測試與失效分析工程師1-2名

　　1．崗位要求：

　　1)具有碩士學(xué)歷，或者具有本科學(xué)歷及4年以上半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的工作經(jīng)歷；年齡一般不超過35周歲；

　　2)具有半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究或技術(shù)經(jīng)驗，和相應(yīng)崗位所需的技術(shù)能力；

　　3)具有較強的團隊合作意識、責(zé)任心和獨立開展工作的能力；

　　4)具有扎實的專業(yè)基礎(chǔ)知識和實驗技能，良好的英語讀寫能力；

　　5)動手能力強，認(rèn)真細(xì)心，踏實肯干，善于溝通。

　　2．薪酬待遇：

　　1)薪資：中國科學(xué)院蘇州納米所為國家級單位，根據(jù)崗位職級提供有競爭力的薪酬待遇（工資+績效獎勵）。

　　2)福利：享受五險一金（含公積金）、午餐補貼、工會福利、職工體檢等。

　　四、應(yīng)聘方式

　　請應(yīng)聘者將個人簡歷及相關(guān)證明材料通過郵件，以重點實驗室+崗位+姓名為主題發(fā)送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應(yīng)聘者參加線上面試和現(xiàn)場面試。聯(lián)系人：任老師，聯(lián)系電話：0512-62872758。

　　【本招聘信息長期有效】。